MOSFET onsemi NTMD4N03G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8 nC a 10 V dc
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,256
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4mm
Número de Elementos por Chip
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
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