MOSFET onsemi NTLJD3119CTBG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, 4,6 A, WDFN de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A, 4.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
WDFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 mΩ, 200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,7 nC a 4,5 V, 5,5 nC a 4,5 V
Profundidad
2mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.75mm
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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| 500 - 990 | € 0,405 | € 4,05 |
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20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
WDFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 mΩ, 200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
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Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,7 nC a 4,5 V, 5,5 nC a 4,5 V
Profundidad
2mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
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Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
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