Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
870 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
550 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.25mm
Ancho
0.85mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.55mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,306
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
€ 0,306
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,306 | € 15,28 |
250+ | € 0,131 | € 6,54 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
870 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
550 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.25mm
Ancho
0.85mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.55mm
Datos del producto