MOSFET onsemi NTJD4158CG, VDSS 20 V, 30 V, ID 250 mA, 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
250 mA, 880 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 V, 30 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω, 500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
270 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,9 nC a 5 V, 2,2 nC a 4,5 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,326 | € 8,14 |
| 125 - 225 | € 0,309 | € 7,74 |
| 250 - 600 | € 0,293 | € 7,33 |
| 625 - 1225 | € 0,278 | € 6,95 |
| 1250+ | € 0,267 | € 6,68 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω, 500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
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+150 ºC
Longitud:
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Si
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-55 °C
Altura
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MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
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