MOSFET onsemi NTJD4152PT1G, VDSS 20 V, ID 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
880 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,2 nC a 4,5 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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SOT-363
Tipo de Montaje
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1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,2 nC a 4,5 V
Ancho
1.35mm
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Si
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