MOSFET onsemi NTHL110N65S3F, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
240000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.82mm
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
20.82mm
País de Origen
China
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€ 121,60
€ 4,053 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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Información de stock no disponible temporalmente.
30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 90 | € 4,053 | € 121,60 |
| 120 - 240 | € 3,547 | € 106,40 |
| 270 - 480 | € 3,454 | € 103,63 |
| 510 - 990 | € 3,369 | € 101,06 |
| 1020+ | € 3,283 | € 98,50 |
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30 A
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650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
240000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.82mm
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
58 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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