MOSFET onsemi NTHL082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
82 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
313 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
81 nC a 10 V
Altura
20.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
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€ 6,281
Each (In a Tube of 450) (Sin IVA)
450
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Profundidad
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Número de Elementos por Chip
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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