Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
446 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
158 nC a 10 V
Ancho
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
20.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 13,11
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
€ 13,11
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
30 - 90 | € 13,11 | € 393,30 |
120 - 240 | € 12,765 | € 382,95 |
270 - 480 | € 12,438 | € 373,13 |
510+ | € 12,127 | € 363,80 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
446 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
158 nC a 10 V
Ancho
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
20.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China