MOSFET onsemi NTHD4502NG, VDSS 30 V, ID 3,9 A, ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ChipFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
140 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Si
Longitud
3.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,6 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Tipo de Encapsulado
ChipFET
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
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Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
1.7mm
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Si
Longitud
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
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