Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
68,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247-4L
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,03 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
4.4V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
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N
Maximum Continuous Drain Current
68,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247-4L
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,03 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima
4.4V
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SiC