MOSFET onsemi NTF5P03G, VDSS 30 V, ID 2,9 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
3.13 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Profundidad
3.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.65mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,741
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
25
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Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
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Surface Mount
Conteo de Pines
3
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150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
3.13 W
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Single
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±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Profundidad
3.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
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