MOSFET onsemi NTE4151PTG, VDSS 20 V, ID 760 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
760 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
310 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Profundidad
0.95mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,1 nC a 5 V
Altura
0.8mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,087
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Si
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