MOSFET onsemi NTD5C648NLT4G, VDSS 60 V, ID 91 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

91 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.1 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

76 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

17 nC a 4,5

Altura

2.25mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

Vietnam