MOSFET onsemi NTD5C434NT4G, VDSS 40 V, ID 160 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
160 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
120000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80,6 nC a 10 V
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
2.25mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Vietnam
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P.O.A.
2500
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
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Longitud:
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Profundidad
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1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80,6 nC a 10 V
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