MOSFET onsemi NTD5867NLG, VDSS 60 V, ID 20 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
36000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
2.38mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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| 50 - 120 | € 0,653 | € 3,26 |
| 125 - 245 | € 0,636 | € 3,18 |
| 250 - 495 | € 0,601 | € 3,01 |
| 500+ | € 0,559 | € 2,80 |
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
36000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
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