MOSFET onsemi NTD25P03LG, VDSS 30 V, ID 25 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 773-7888PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTD25P03LT4G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

90 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Disipación de Potencia Máxima

75000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-15 V, +15 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 5 V

Profundidad

6.22mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.38mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET onsemi NTD25P03LG, VDSS 30 V, ID 25 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5€ 4,81
10€ 9,62
15€ 14,43
20€ 19,24
25€ 17,51
30€ 21,02
35€ 24,52
40€ 28,02
45€ 31,52
50€ 35,02
55€ 38,53
60€ 42,03
65€ 45,53
70€ 49,04
75€ 52,54

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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
5 - 20€ 0,962€ 4,81
25 - 120€ 0,70€ 3,50
125 - 620€ 0,56€ 2,80
625 - 1245€ 0,488€ 2,44
1250+€ 0,476€ 2,38

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P

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25 A

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Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

90 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Disipación de Potencia Máxima

75000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-15 V, +15 V

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1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Profundidad

6.22mm

Material del transistor

Si

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