Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 5 V
Profundidad
6.22mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.38mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,964
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
5
€ 0,964
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
5 - 20 | € 0,964 | € 4,82 |
25 - 120 | € 0,702 | € 3,51 |
125 - 620 | € 0,561 | € 2,81 |
625 - 1245 | € 0,489 | € 2,44 |
1250+ | € 0,477 | € 2,39 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 5 V
Profundidad
6.22mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.38mm
Datos del producto