MOSFET onsemi NTD24N06LG, VDSS 60 V, ID 24 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
62,5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
6.73mm
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.38mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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| 40 - 98 | € 1,228 | € 2,46 |
| 100 - 198 | € 1,193 | € 2,39 |
| 200+ | € 1,146 | € 2,29 |
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N
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
62,5 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Longitud
6.73mm
Ancho
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Si
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