MOSFET onsemi NTD20N06LTG, VDSS 60 V, ID 20 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
20,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
48 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
60000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Material del transistor
Si
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,6 nC a 5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.38mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
48 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
60000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Material del transistor
Si
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,6 nC a 5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
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