MOSFET onsemi NTB082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-4252Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTB082N65S3F
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

82 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

313 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

9.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

81 nC a 10 V

Altura

4.58mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

País de Origen

China

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N

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

82 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

313 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

9.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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