Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
82 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
313 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
81 nC a 10 V
Altura
4.58mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
China
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P.O.A.
800
P.O.A.
800
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
82 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
313 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
81 nC a 10 V
Altura
4.58mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
China