MOSFET onsemi NTA4153NG, VDSS 20 V, ID 915 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
915 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
0.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,82 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.6mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.8mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
0.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,82 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
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Material del transistor
Si
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