Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
240 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.65mm
Profundidad
0.9mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.8mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,14
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
100
€ 0,14
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100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,14 | € 14,03 |
500 - 900 | € 0,129 | € 12,86 |
1000 - 2400 | € 0,122 | € 12,16 |
2500 - 4900 | € 0,112 | € 11,23 |
5000+ | € 0,103 | € 10,29 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
240 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.65mm
Profundidad
0.9mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.8mm
Datos del producto