Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
12 V
Tipo de Encapsulado
SC-82FL
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
450 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 GHz
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.6 x 0.85mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
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P.O.A.
50
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NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
12 V
Tipo de Encapsulado
SC-82FL
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
450 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 GHz
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.6 x 0.85mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
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China