Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiConfiguración de diodo
Single
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión Residual Máxima
6.6V
Tensión Mínima de Ruptura
6.4V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
X2DFN
Tensión de Corte Inversa Máxima
6.3V
Conteo de Pines
2
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
30A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1.05 x 0.65 x 0.35mm
Tensión de trabajo
6.3V
Tensión ESD
8kV
Capacitancia
110pF
Longitud
1.05mm
Altura
0.35mm
Ancho
0.65mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
País de Origen
China
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P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
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Single
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión Residual Máxima
6.6V
Tensión Mínima de Ruptura
6.4V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
X2DFN
Tensión de Corte Inversa Máxima
6.3V
Conteo de Pines
2
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
30A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1.05 x 0.65 x 0.35mm
Tensión de trabajo
6.3V
Tensión ESD
8kV
Capacitancia
110pF
Longitud
1.05mm
Altura
0.35mm
Ancho
0.65mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
País de Origen
China