Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
20V
Tensión Mínima de Ruptura
12V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
UDFN
Conteo de Pines
2
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
60A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.6 x 1 x 0.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1mm
Corriente de Prueba
1mA
Altura
0.5mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
500nA
Tensión de trabajo
10V
Capacidad
400pF
Longitud
1.6mm
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P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
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Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
20V
Tensión Mínima de Ruptura
12V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
UDFN
Conteo de Pines
2
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
60A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.6 x 1 x 0.5mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1mm
Corriente de Prueba
1mA
Altura
0.5mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
500nA
Tensión de trabajo
10V
Capacidad
400pF
Longitud
1.6mm