Transistor, MMBT5551LG, NPN 600 mA 160 V SOT-23, 3 pines, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
600 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
160 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
80
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
180 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 2.64 x 1.11mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de uso general, hasta 1 A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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