Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
24 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
5pF
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Longitud
3.04mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
Altura
1.01mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 2,71
$ 0,271 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
$ 2,71
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Estándar
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | $ 0,271 | $ 2,71 |
100 - 240 | $ 0,234 | $ 2,34 |
250 - 490 | $ 0,203 | $ 2,03 |
500 - 990 | $ 0,178 | $ 1,78 |
1000+ | $ 0,162 | $ 1,62 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
24 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
5pF
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Longitud
3.04mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
Altura
1.01mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.