JFET, MMBFJ310LT1G, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
24 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Altura
0.94mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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Empaque de Producción (Rollo)
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 5 - 120 | € 0,34 | € 1,70 |
| 125 - 245 | € 0,324 | € 1,62 |
| 250 - 495 | € 0,307 | € 1,54 |
| 500 - 1245 | € 0,286 | € 1,43 |
| 1250+ | € 0,277 | € 1,38 |
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
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Single
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Altura
0.94mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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