Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 30mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
5pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.4mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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100 - 240 | $ 0,103 | $ 1,03 |
250 - 490 | $ 0,10 | $ 1,00 |
500 - 990 | $ 0,098 | $ 0,98 |
1000+ | $ 0,094 | $ 0,94 |
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N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 30mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
5pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.04mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.4mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.