Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
-2 to -15mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.04mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal P, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,332 | € 16,58 |
100 - 950 | € 0,194 | € 9,69 |
1000 - 2950 | € 0,132 | € 6,60 |
3000 - 8950 | € 0,116 | € 5,78 |
9000+ | € 0,11 | € 5,49 |
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P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
-2 to -15mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.04mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal P, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.