Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 1.5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Longitud
2.92mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.3mm
Altura
0.93mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 19,50
€ 0,195 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 19,50
€ 0,195 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
100
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,195 | € 4,88 |
250 - 475 | € 0,168 | € 4,21 |
500 - 975 | € 0,148 | € 3,69 |
1000+ | € 0,135 | € 3,38 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.3 to 1.5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Longitud
2.92mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.3mm
Altura
0.93mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.