Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.5 to 20mA
Tensión Máxima Puerta-Drenador
25V dc
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Profundidad
1.4mm
Altura
1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Longitud
3.04mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 10,46
€ 0,105 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 10,46
€ 0,105 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,105 | € 1,05 |
250 - 490 | € 0,10 | € 1,00 |
500 - 990 | € 0,094 | € 0,94 |
1000+ | € 0,077 | € 0,77 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.5 to 20mA
Tensión Máxima Puerta-Drenador
25V dc
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Profundidad
1.4mm
Altura
1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Longitud
3.04mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.