Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.5 to 20mA
Tensión Máxima Puerta-Drenador
25V dc
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Profundidad
1.4mm
Altura
1.01mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Longitud
3.04mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 2,48
$ 0,248 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
$ 2,48
$ 0,248 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | $ 0,248 | $ 2,48 |
100 - 240 | $ 0,12 | $ 1,20 |
250 - 490 | $ 0,115 | $ 1,15 |
500 - 990 | $ 0,108 | $ 1,08 |
1000+ | $ 0,089 | $ 0,89 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.5 to 20mA
Tensión Máxima Puerta-Drenador
25V dc
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Profundidad
1.4mm
Altura
1.01mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Longitud
3.04mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.