Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
-2 to -25mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Altura
0.93mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal P, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 0,357
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
50
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50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,357 | € 17,86 |
100 - 950 | € 0,211 | € 10,57 |
1000 - 2950 | € 0,207 | € 10,33 |
3000+ | € 0,201 | € 10,04 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
-2 to -25mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Altura
0.93mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal P, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.