Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
-2 to -25mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal P, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 0,358
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,358 | € 17,89 |
100 - 950 | € 0,212 | € 10,58 |
1000 - 2950 | € 0,207 | € 10,35 |
3000+ | € 0,201 | € 10,06 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
-2 to -25mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
250 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal P, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.