JFET, MMBFJ113, N-Canal, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 2mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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Single
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Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.92mm
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
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