Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Anchura
1.3mm
Altura
0.93mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Longitud:
2.92mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 6,78
$ 0,271 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
$ 6,78
$ 0,271 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
Estándar
25
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
25 - 75 | $ 0,271 | $ 6,78 |
100 - 225 | $ 0,234 | $ 5,85 |
250 - 475 | $ 0,203 | $ 5,07 |
500 - 975 | $ 0,178 | $ 4,45 |
1000+ | $ 0,162 | $ 4,04 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Anchura
1.3mm
Altura
0.93mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Longitud:
2.92mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.