Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.04mm
Ancho
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 126,34
€ 0,253 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
500
€ 126,34
€ 0,253 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
500
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
500 - 950 | € 0,253 | € 12,63 |
1000+ | € 0,219 | € 10,96 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.04mm
Ancho
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.