Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.04mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 16,37
$ 0,327 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Estándar
50
$ 16,37
$ 0,327 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Estándar
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
---|---|---|
50 - 450 | $ 0,327 | $ 16,37 |
500 - 950 | $ 0,282 | $ 14,10 |
1000+ | $ 0,245 | $ 12,22 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.04mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.