JFET, MMBF5103, N-Canal, 20 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 40mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.04mm
Profundidad
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,28 | € 14,01 |
| 100 - 950 | € 0,131 | € 6,54 |
| 1000 - 2950 | € 0,104 | € 5,20 |
| 3000 - 8950 | € 0,089 | € 4,44 |
| 9000+ | € 0,078 | € 3,91 |
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.04mm
Profundidad
1.3mm
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