JFET, MMBF4393LG, N-Canal, 30 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
5 to 30mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
14pF
Capacidad Fuente-Puerta
14pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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| 1000+ | € 0,064 | € 3,21 |
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
14pF
Capacidad Fuente-Puerta
14pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Altura
1.01mm
Profundidad
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
Datos del producto
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