JFET, MMBF4391LG, N-Canal, 30 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
50 to 150mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Altura
0.94mm
Ancho
1.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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30 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Altura
0.94mm
Ancho
1.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
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