Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,241
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10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,241 | € 2,41 |
100 - 190 | € 0,23 | € 2,30 |
200 - 740 | € 0,192 | € 1,92 |
750 - 1490 | € 0,181 | € 1,81 |
1500+ | € 0,167 | € 1,67 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto