Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
16 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-3BPL
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
400 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
20.3 x 5.3 x 29mm
Datos del producto
Transistores de potencia NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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€ 2,23
Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Corriente DC Máxima del Colector
16 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-3BPL
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
400 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
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Transistores de potencia NPN, ON Semiconductor
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