Transistor, MJE200G, NPN 10 A 40 V TO-225, 3 pines, 10 MHz, Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-225
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
15000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
45
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
25 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
8 V dc
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
10 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
7.8 x 3 x 11.1mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
País de Origen
China
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|---|---|---|
| 500 - 500 | € 0,386 | € 193,04 |
| 1000 - 2000 | € 0,316 | € 157,84 |
| 2500 - 9500 | € 0,313 | € 156,66 |
| 10000+ | € 0,312 | € 156,08 |
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Ganancia Mínima de Corriente DC
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Tensión Máxima Emisor-Base
8 V dc
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