Transistor Darlington, MJD127G, PNP 8 A, 100 V, HFE:100, DPAK (TO-252), 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.01mA
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Altura
2.38mm
Profundidad
6.22mm
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
País de Origen
Czech Republic
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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| 375 - 1425 | € 0,577 | € 43,28 |
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| 3750+ | € 0,548 | € 41,13 |
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100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de Montaje
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Conteo de Pines
3
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Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.01mA
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
Altura
2.38mm
Profundidad
6.22mm
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