Transistor Darlington, MJD112-1G, NPN 2 A, 100 V, HFE:1000, IPAK (TO-251), 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
20µA
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 2.38 x 6.35mm
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Altura
6.35mm
Ancho
2.38mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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€ 9,20
€ 0,614 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
15
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1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
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3 V
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20µA
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 2.38 x 6.35mm
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
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Altura
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