Transistor Darlington, MJD112-1G, NPN 2 A, 100 V, HFE:1000, IPAK (TO-251), 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
20µA
Altura
6.35mm
Ancho
2.38mm
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 2.38 x 6.35mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
6.73mm
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€ 39,29
€ 0,524 Each (In a Tube of 75) (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 75 - 75 | € 0,524 | € 39,29 |
| 150 - 300 | € 0,493 | € 36,96 |
| 375+ | € 0,471 | € 35,34 |
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5 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
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Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
20µA
Altura
6.35mm
Ancho
2.38mm
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
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