Amplificador operacional MC33174DR2G, 5 → 28 V 1.8MHZ SOIC, 14 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de Fuente de Alimentación
Dual, Single
Número de Canales por Chip
4
Conteo de Pines
14
Tensión de Alimentación Única Típica
5 → 28 V
Producto de Ancho de Banda de Ganancia Típica
1.8MHz
Tensión de Alimentación Dual Típica
±12 V, ±15 V, ±18 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V
Slew Rate Típico
2.1V/µs
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Typical Voltage Gain
114 dB
Rail to Rail
No
Dimensiones del Cuerpo
8.75 x 4 x 1.5mm
Longitud
8.75mm
Ancho
4mm
Densidad Típica de Ruido de Tensión de Entrada
32nV/√Hz
Altura
1.5mm
Datos del producto
Amplificador operacional de suministro único de 3 V a 44 V y baja potencia MC33171/2/4, MCV33172, ON Semiconductor
MC33171 (sencillo), MC33172 (doble), MC33174 (cuádruple)
Baja corriente de suministro: 180 μA por amplificador
Ancho de banda amplio: 1,8 MHz
Alta velocidad de subida: 2,1 V/μs
Baja tensión offset de entrada: 2 mV
NCV33172 para aplicaciones de automoción; certificación AEC-Q100
Operational Amplifiers, ON Semiconductor
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 0,814 | € 4,07 |
| 10 - 95 | € 0,669 | € 3,34 |
| 100 - 495 | € 0,435 | € 2,18 |
| 500 - 995 | € 0,409 | € 2,05 |
| 1000+ | € 0,316 | € 1,58 |
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Tensión de Alimentación Única Típica
5 → 28 V
Producto de Ancho de Banda de Ganancia Típica
1.8MHz
Tensión de Alimentación Dual Típica
±12 V, ±15 V, ±18 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V
Slew Rate Típico
2.1V/µs
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Typical Voltage Gain
114 dB
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No
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8.75 x 4 x 1.5mm
Longitud
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Ancho
4mm
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32nV/√Hz
Altura
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Amplificador operacional de suministro único de 3 V a 44 V y baja potencia MC33171/2/4, MCV33172, ON Semiconductor
MC33171 (sencillo), MC33172 (doble), MC33174 (cuádruple)
Baja corriente de suministro: 180 μA por amplificador
Ancho de banda amplio: 1,8 MHz
Alta velocidad de subida: 2,1 V/μs
Baja tensión offset de entrada: 2 mV
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