JFET, J112, N-Canal, Único, TO-92, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
5.2mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Altura
5.33mm
Profundidad
4.19mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
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